【萌喵】【转】中信证券：存储晶圆端涨价品类增加部分已传导至成品端_生活家居

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国内厂商已发布2023年中报业绩，整体来看23Q2基本面企稳或环比向好，23Q4环比改善预期相对明晰。国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节，2023Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位，库存见顶，营收/出货量出现环比增长，部分厂商Q2利润端环比改善。我们预计23H2随库存去化，需求逐步回归，未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。

▍存储器价格情况：

DRAM方面：8月个别产品价格出现上涨，环比-6.12%~+6.45%，本轮高点21年6月至23年8月累计跌幅为69%~83%。高端DRAM(服务器DDR5)合约价格稳定，主流DRAM(DDR4)价格跌幅收窄，个别产品价格出现上涨，8月涨跌幅-6.12%~+6.45%（7月涨跌幅-7.92%~-1.02%），利基DRAM(DDR3)价格跌幅在2.06%~4.55%（7月跌幅3.96%~8.33%），目前价格处于周期底部。TrendForce预计，受DRAM厂商陆续减产影响，供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，23Q3跌幅将进一步收缩至0%~5%，同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。

NAND Flash方面：8月价格持续回升，环比0.00%~+7.09%（512GB大容量连续两月环比上涨，128/256GB价格保持稳定），本轮高点21年8月至23年6月累计跌幅为47%~69%。23H2旺季备货周期将至，尽管今年需求低迷，如Client SSD与Enterprise SSD在下游出货量下滑预期下采购量下降，导致终端出货预测持续下修，但在原厂持续减产及下游需求复苏预期下，市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1，采购量有机会逐季增加。根据CFM闪存市场，7月初至9月14日，512Gb Wafer价格从1.41美元上涨至1.68美元，涨幅达20%；展望23H2，TrendForce预计23Q3 NAND Flash Wafer整体均价环比涨幅0%~5%，Q4涨幅将进一步扩大至 8%~13%。

存储模组方面：今年2月开始价格下跌幅度收窄，8月SSD价格出现上涨，DDR4价格基本持平（9月1-2周小幅上涨），本轮高点22年3月至23年8月累计跌幅为44.76%~60.63%。据CFM闪存市场，截至9月12日，近半年DDR4 SODIMM（8GB 3200）由约16.5美元下降至不足14美元，降幅约15%，OEM SSD（512GB SATA）由约25美元下降至19美元，降幅约24%。我们认为模组厂商产品单价有望于23Q4开始回暖，随下游需求复苏而获得销量弹性，同时上游晶圆成本处于底部，有利于模组环节盈利水平修复。

价格传导分析：NAND Wafer涨价行情已由合约价传导至现货价，8月末已自上而下由晶圆端传导至模组端。5月起，美、韩系厂商大幅减产后，部分供应商已经开始调高wafer报价；由于多数供应商已开始减产，库存压力在Q3下降，三星等原厂报价态度强势，Q3合约价已出现较大幅度反弹，并刺激买方采购意愿，加速供需平衡。8月末起，晶圆端涨价已开始传导至模组端，根据CFM闪存市场，SSD、EMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨（单周价格涨幅约0~5%）。TrendForce预计23Q3 NAND Flash整体均价跌幅将收缩至5~10%，Q4有望止跌回升，预估涨幅为0~5%。展望后续，我们预计23Q3 NAND各环节涨价将延续至23Q4；随DRAM持续减产以及下游服务器市场复苏，预计23Q4 DRAM价格有望开始回升。

▍中国台湾厂商高频数据：

主流存储器价格仍相对承压，中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降，但进入三季度，受益于市场回暖、部分产品价格上涨，8月各家营收环比均上升：旺宏8月营收同比-30.23%，环比+19.23%；华邦电8月营收同比-13.21%，环比+1.74%；南亚科8月营收同比-24.69%，环比+5.65%；力积电8月营收同比-46.03%，环比+1.20%。

▍供给侧与需求侧近况更新：

供给端：为应对下游需求持续疲软、行业供过于求，部分厂商调降投片量，同时下调2023年资本开支及产能提升预期。据各公司业绩交流会，美光FY2023资本支出降至70亿美元，同比-40%以上，并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年；SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50%，并决定对NAND进一步减产5-10%；西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降；三星平泽与西安厂扩大减产幅度；我们预计23H2大厂库存消耗速度将加快，促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面，SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量产并供货OPPO；此外，SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品，计划2025H1量产。从历史周期看，资本开支增速与市场规模增速强相关性，随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率，我们预计23年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，我们看好存储板块周期2023年下半年见底。

需求端：下游厂商“降成本、去库存”趋势持续，看好需求逐步复苏。2022年需求疲软下行业库存持续攀升，23H1行业库存持续去化，具体来看，IoT品类中海外市场及低阶产品需求更好，Q2供应链去库存接近尾声，下游客户逐步恢复拉货；手机品类中高端产品需求稳定，低阶产品需求更具韧性（性价比凸显），供应链中部分细分品类库存去化进展顺利，已进入补库存阶段；PC 23Q2库存持续去化，23H2需求有望进一步回暖；传统服务器行业仍处于库存去化阶段。我们认为，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好23H2至24年下游需求回暖趋势：1）服务器端，我们预计23Q3需求有望实现环比增长，看好23H2 DDR5服务器端需求提升，同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求（content）是传统的6~8x和3x；2）PC端，我们预计23年PC出货同比下滑低两位数（low-double digit）；3）手机及智能终端，我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数（mid-single digit），年内前低后高，库存逐季改善；4）汽车端稳健增长，预计23Q3工业市场初步复苏，行业库存及需求有望在23H2持续改善。

▍投资建议：国内厂商已发布2023年中报业绩，整体来看23Q2基本面企稳或环比向好，23Q4环比改善预期相对明晰。

国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节，Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位，库存见顶，营收/出货量出现环比增长，部分厂商Q2利润端环比改善。我们预计23H2随库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。

▍风险因素：

下游需求复苏不及预期；芯片价格持续下跌；行业竞争日益加剧；新技术研发进展缓慢；国际地缘政治冲突等。

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